半導體靜電放電發生器(器件敏感度 ESD-606A)專門為半導體器件抗靜電測試(HBM人體模式和MM機械模式）而設計，通過阻容套件的改變來滿足標準 MIL-STD-883D METHOD3015.7、EIAJED-4701 ConditionB 和 EIAJED-4701 ConditionA 的測試要求。人性化設計、使用方便。

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項 目 MIL-STD-883D/METHOD3015.7 /IEC747-1 EIAJED-4701

輸出 電壓0—8kV

輸出 電壓極性正/負

放電電容 100pF±5%/200pF±5%

放電電阻 1.5kΩ/0 Ω

工作形式 單次/計數

放電次數設定 1～9999

放電間隔 0.1～9.9s

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