1：436nm g-line
可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產，對應設備有接觸式和接近式光刻機。
2：365nm i-line
同樣可以滿足0.8~0.35微米制程芯片的生產。設備于上相同。
早期的光刻機采用接觸式光刻，即掩模貼在硅片上進行光刻，容易產生污染，且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機對接觸式光刻機進行了改良， 通過氣墊在掩模和硅片間產生細小空隙，掩模與硅片不再直接接觸，但受氣墊影響，成像的精度不高。
3：248nm KrF
工藝節點提升至350~180nm水平，在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻，即現在光刻機通用的，光源通過掩模， 經光學鏡頭調整和補償后， 以掃描的方式在硅片上實現曝光。
4：193nm ArF
制程提升至65nm的水平。四代光刻機是目前使用廣的光刻機，也是具有代表性的一代光刻機。
5：13.5nm EUV