產(chǎn)品表

fusion devices		afs090	afs250	afs600	afs1500
arm-enabled fusion devices				m7afs600	m7afs1500
	system gates	90,000	250,000	600,000	1,500,000
	tiles (d-flip-flops)	2,304	6,144	13,824	38,400
	usable tiles with coremp7s			7,500	32,000
	usable tiles with coremp7sd			5,237	29,878
	secure (aes) isp	yes	yes	yes	yes
	plls	1	1	2	2
	globals	18	18	18	18
	flash memory blocks (2 mbits)	1	1	2	4
	total flash memory bits (mbits)	2	2	4	8
	flashrom bits (kbits)	1	1	1	1
	ram blocks (4,608 bits)	6	8	24	60
	ram (kbits)	27	36	108	270
	analog quads	5	6	10	10
	analog input channels	15	18	30	30
	gate driver outputs	5	6	10	10
	i/o banks (+ jtag)	4	4	5	5
	maximum digital i/os	75	114	172	252
	analog i/os	20	24	40	40
	qn108	37/9 (16)
	qn180	60/16 (20)	65/15 (24)
	pq208		93/26 (24)	95/46 (40)
	fg256	75/22 (20)	114/37 (24)	119/58 (40)	119/58 (40)
	fg484			172/86 (40)	228/86 (40)
	fg676				252/139 (40)

融合技術(shù)資源中心

	單芯片 以 flash 為基礎(chǔ)的 fpga 將配置信息儲(chǔ)存在片上 flash 單元中，一旦完成編程后，配置數(shù)據(jù)就會(huì)成為 fpga 結(jié)構(gòu)的固有部分，在系統(tǒng)上電時(shí)并無(wú)需載入外部配置數(shù)據(jù)。以 flash 為基礎(chǔ)的 fusion 融合 fpga 無(wú)需額外的系統(tǒng)元件，如傳統(tǒng) sram fpga 配置用的串行非揮發(fā)性內(nèi)存 (eeprom) 或以 flash 為基礎(chǔ)的微控制器，它們都是用來在每次???電時(shí)對(duì)傳統(tǒng) sram fpga 加載程序的。增加的融合功能可在電路板上省去多個(gè)附加元件，如 flash 內(nèi)存、分立模擬 ic 、時(shí)鐘源、eeprom ，以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘等，從而減低系統(tǒng)成本和電路板空間需求。
	低功率 actel 以 flash 為基礎(chǔ)的融合器件具有類似于 asic 的功率特性，因而適用于電池供電產(chǎn)品和其它對(duì)功耗敏感的應(yīng)用。使用融合器件時(shí)，并不會(huì)出現(xiàn)加電浪涌電流和大電流轉(zhuǎn)換，而這是許多 sram fpga 器件所面對(duì)的問題。融合器件還具有低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗，能實(shí)現(xiàn)*多的功率節(jié)省。這些器件支持睡眠和待機(jī)模式運(yùn)作，可大幅降低功耗。融合器件的另一個(gè)獨(dú)特性能是在非活動(dòng)期間于正常時(shí)鐘速度和低時(shí)鐘運(yùn)作速度之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換，并在需要時(shí)轉(zhuǎn)為全速運(yùn)作。
	上電即行 以 flash 為基礎(chǔ)的融合器件具有上電即行 (lapu) 特性，一旦施加正常運(yùn)作規(guī)格內(nèi)的系統(tǒng)功率，融合器件即可工作。這種上電即行特性能夠大幅簡(jiǎn)化整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并往往可以省去系統(tǒng)中復(fù)雜的可編程邏輯器件 (cpld) 。系統(tǒng)供電中的低頻干擾和低電壓不會(huì)損害融合器件的 flash 配置，與以 sram 為基礎(chǔ)的 fpga 不同，該器件在系統(tǒng)恢復(fù)供電時(shí)無(wú)需重新載入配置數(shù)據(jù)，此舉可讓設(shè)計(jì)人員從 pcb 中減少或完全省去昂貴的上電排序部件、電壓監(jiān)控器，以及低電壓檢測(cè)器件的使用。以 flash 為基礎(chǔ)的融合器件能夠簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)、減低成本和設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性，并縮短系統(tǒng)初始化的時(shí)間。
	**性 融合器件包含了 actel flashlock® 功能，提供可重編程性和設(shè)計(jì)**性的獨(dú)特組合，且無(wú)外部元件費(fèi)用。這些優(yōu)點(diǎn)只有通過帶非揮發(fā)性 flash 內(nèi)存的 fpga 才能實(shí)現(xiàn)。融合器件具有基于 flash 的 128 位**保護(hù)機(jī)制和業(yè)界**的片上 aes 解碼內(nèi)核，用于保護(hù)經(jīng)編程的 ip 和配置數(shù)據(jù)。 128 位 aes 是政府機(jī)構(gòu)認(rèn)可速度更快、**性更高的加密算法，可以替代 des 。目前，融合器件具有*完備的可編程邏輯**解決方案。以 aes 加密技術(shù)為基礎(chǔ)的融合器件可讓設(shè)計(jì)人員**地完成系統(tǒng)設(shè)計(jì)和 flash 內(nèi)容的遠(yuǎn)程更新 (通過公共網(wǎng)絡(luò)如互聯(lián)網(wǎng)等)，確保具價(jià)值的 ip 不會(huì)遭受系統(tǒng)過建、復(fù)制和 ip 盜竊等問題所侵害。雖然編寫在融合器件中的 fpga 設(shè)計(jì)不能讀回，但可對(duì)其進(jìn)行**的設(shè)計(jì)驗(yàn)證操作。融合器件采用了許多器件設(shè)計(jì)和布局工藝技術(shù)，使到入侵攻擊難以得逞。例如，融合器件的 flash 單元都位于 7 層金屬層之下，因而極難篡改當(dāng)中的
	固件錯(cuò)誤 固件錯(cuò)誤是高層大氣中產(chǎn)生的高能中子撞擊 sram fpga 配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元所導(dǎo)致的錯(cuò)誤。撞擊產(chǎn)生的能量會(huì)改變 sram fpga 配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，從而改變其邏輯、路由或 i/o ，而這種改變是無(wú)法預(yù)測(cè)和控制的。這類錯(cuò)誤在 sram fpga 中不可能避免，因而導(dǎo)致其時(shí)間延續(xù)故障 (fit) 率值達(dá)數(shù)千。這類錯(cuò)誤可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)失效，引起重大的技術(shù)支持和產(chǎn)品可靠性問題。融合 fpga 的配置元素 (即 flash 存儲(chǔ)單元) 便不會(huì)被高能中子改變，因此具有中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤**力。

融合技術(shù)及其優(yōu)勢(shì)

單芯片提供所有功能
直至融合技術(shù)問世前，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員被迫采用成本高、占位空間多的分立模擬組件和可編程邏輯或混合信號(hào) asic 方案來執(zhí)行一般的系統(tǒng)。固定的架構(gòu)及其它技術(shù)障礙都阻止各個(gè)組件集成到一個(gè)低成本的單芯片中，以滿足所有設(shè)計(jì)需求

外部高電壓接口
融合器件具有真正的外部高電壓接口；擁有多達(dá) 30 個(gè)耐高壓模擬輸入，可與 -12v 到 +12v 的信號(hào)直接連接，因此無(wú)需信號(hào)預(yù)調(diào)節(jié)電路。基于融合技術(shù)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 adc 可以配置，并支持高達(dá) 12 位的信號(hào)采樣率，采樣速度達(dá) 600 ksps 。融合器件還具備額外的功能，包括多個(gè)差分輸入電流監(jiān)控功能塊，每個(gè)均內(nèi)置放大器，能增加靈敏度和效率。融合器件還集成了溫度監(jiān)控電路，只需外接二極管便可遠(yuǎn)程監(jiān)控多項(xiàng)溫度。融合器件具有多達(dá) 10 個(gè)大電流驅(qū)動(dòng)輸出，*適用于 mosfet 控制和/或脈沖寬度調(diào)制 (pwm) 功能，如直接風(fēng)扇控制。

功率管理和熱管理
融合器件具有 0 級(jí)上電即用 (lapu) 功能，只需 3.3v 單電源便可運(yùn)行。由于啟動(dòng)要求不高，融合器件可充當(dāng)**的系統(tǒng)管理器，能夠監(jiān)視和控制板上各個(gè)電源的上電順序。各個(gè)電源的電壓上升速率可通過融合器件進(jìn)行編程。結(jié)合其溫度監(jiān)控功能和 mosfet/pwm 性能，融合器件能輕易集成系統(tǒng)控制板的熱管理能力。

動(dòng)態(tài)系統(tǒng)配置
融合器件可將多項(xiàng)系統(tǒng)級(jí)功能集成在一個(gè)單芯片中，因而成為許多前沿系統(tǒng)管理協(xié)議的理想載體。

融合器件的高性能 flash 內(nèi)存模塊可根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求，靈活地配置非揮發(fā)性內(nèi)存。在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)， flash 內(nèi)存可用于系統(tǒng)初始化，從片上 flash 內(nèi)存中自動(dòng)載入 sram 和寄存器所需數(shù)據(jù)。在系統(tǒng)關(guān)斷前，融合器件上 sram 或寄存器中的揮發(fā)性數(shù)據(jù)能夠保存到片上 flash 內(nèi)存中，即將器件的狀態(tài)保存起來，用于下一次系統(tǒng)啟動(dòng)，提供保存和恢復(fù)功能。融合器件的 flash 內(nèi)存還可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)參數(shù)的動(dòng)態(tài)改變，即具有關(guān)聯(lián)轉(zhuǎn)換 (context switch) 功能。系統(tǒng)導(dǎo)引代碼可存儲(chǔ)于 flash 內(nèi)存中，以配合芯片上及芯片外的需求。flash 內(nèi)存還可通過配置仿真 eeprom 操作，并備有固化的外延 ip 。若選配 actel 的軟 ip 通用 flash 接口 (cfi)，還可將 flash 內(nèi)存的一部分用于文件存儲(chǔ)。

低功耗
基于采用低功耗、高性能的 flash 內(nèi)存工藝，融合器件提供業(yè)界**的低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。融合器件還具有多項(xiàng)睡眠和待機(jī)工作模式，進(jìn)一步延長(zhǎng)便攜式設(shè)備的電池壽命。融合器件的實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器 (rtc) 能實(shí)現(xiàn)各種功能，如睡眠、待機(jī)、定期喚醒、低速或低功耗運(yùn)行。此外，它還配有 1% rc 振蕩器和雙引腳晶體振蕩器電路，能夠省去昂貴的外部時(shí)鐘源。

重新配置系統(tǒng)
融合器件架構(gòu)繼承了 actel 成功的 proasic®3 系列 flash pga的可配置性和現(xiàn)場(chǎng)可編程性優(yōu)勢(shì)，能在制造過程中或制造完成后在現(xiàn)場(chǎng)**地進(jìn)行編程。由于融合器件可以在單一硬件平臺(tái)支持多種項(xiàng)目和產(chǎn)品，因此能讓設(shè)計(jì)人員享有批量采購(gòu)器件的優(yōu)勢(shì)，并同時(shí)針對(duì)不同市場(chǎng)進(jìn)行產(chǎn)品的定制設(shè)計(jì)。而固件 (flash 內(nèi)存) 和硬件的更新都能在一個(gè)步驟中完成。

融合技術(shù)使 fpgas 能享有兩個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

相關(guān)信息

• ip 支持
• fusion 低成本啟動(dòng)套件
• 編程解決方案
  • isp: direct-c
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