• 密集型封裝結構
• 系統(母線控制)，安裝簡便
• 三相金橋逆變
• 銅底板和無銅底飯系列

SPT結構 LGBT:

• 通態電壓和關斷損耗降低20%
• 熱阻無增加
• 增加有效電流
• 皺紋狀表面，利于散熱
• EMC良好的軟開關波形
  

IGCT 集成門極換向晶閘管
特性:

• 獲準**的硅滑動式結構
• 獲準**的低電感封裝技術
• 可選擇的免吸收工作為式
• 極低的導通損耗
• 光觸發輸入及狀態反饋
• 可串聯應用(串聯級數適當)
• 具有抗輻射能力
• 快速響應和準確定時

類型:
非對稱型
反向阻斷型
為電流源逆變器優化設計

反向導通
續流二極管集成一體，用于無吸收開關應用



GTO Thyristors門極可關斷晶閘管
特性:

• 獲準**的硅滑動式結構
• 所有GTO均經過額定電流的關斷測試
• 通態和開關損耗間*佳折衷
• 具有抗輻射能力

類型:
標準型
緩沖層

• 極低的導通損耗和動態損耗
• 非常好的快速開通特性
• 特殊發射極結構;*小的通態損耗

反向導通型

• 一體化的續流二極管
• *小的動態損耗

快恢復二極管
特性:

• *佳的快速軟恢復特性
• 反向恢復電荷少
• 關斷時可承受高的di/dt耐量
• *適合與GTO和lGCT配套使用
• 具有抗輻射能力

類型:
GTO續流二極管
吸收二極管
IGCT二極管