碳化硅 (SiC) 功率器件市場**者科銳日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應用中推廣。

　　科銳創(chuàng)始人之一兼功率和無線射頻(RF)產(chǎn)品研發(fā)部門**技術官 John Palmour 指出：“為了開發(fā)新一代功率電子產(chǎn)品，設計工程師正在發(fā)掘碳化硅肖特基二極管特有的性能優(yōu)勢，包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關損耗以及能在更高頻率下工作等，都能支持更低的電磁干擾(EMI)信號。在不影響性能的前提下，該全新系列二極管可以實現(xiàn)比前一代碳化硅肖特基二極管更高的電流密度和更強的電子雪崩性能。科銳近期在器件設計方面的**和對工藝改進矢志不渝的努力，讓我們能夠在降低每安培成本的同時提供更高的額定電流值。”

　　科銳Z-Rec二極管具有零反向恢復損耗特性，與同類硅二極管相比，開關損耗可銳減 50%。該產(chǎn)品在運行溫度范圍內(nèi)具有高度一致的開關性能，可以簡化電路設計并能省去復雜的散熱器系統(tǒng)設計。在與科銳近期推出的1200V碳化硅功率 MOSFET配合使用時，這些碳化硅肖特基二極管可以實現(xiàn)全碳化硅功率電子線路的運行，其運行的開關頻率較傳統(tǒng)硅二極管和 IGBT 可高出四倍。不僅可以縮小逆變器應用電路的尺寸，降低逆變器電路的復雜程度和成本，還能達到極高的系統(tǒng)效率。與上一代碳化硅肖特基二極管相比，該系列產(chǎn)品的優(yōu)勢在于具有更高的浪涌額定值和電子雪崩性能，可以幫助提高系統(tǒng)整體的可靠性。

　　該系列產(chǎn)品非常適合在太陽能逆變器和三相電機驅(qū)動電路中用作增壓二極管和反并聯(lián)二極管，也可以用于電源和 UPS 設備中的功率因子校正(PFC)二極管，還可以并聯(lián)運行以滿足更高功率要求。

　　已發(fā)布器件的額定電流包括 2A[C4D02120x]、5A[C4D05120x]、10A[C4D10120x]、20A[C4D20120x] 和 40A[C4D40120x]。根據(jù)額定電流值的不同，器件可采用標準的 TO-220 以及標準的 TO-247 封裝供貨。欲了解器件的供貨情況，請與科銳聯(lián)系。

　　新型Z-Rec 1200V肖特基二極管已經(jīng)發(fā)布并完全具備生產(chǎn)使用資格。1200V碳化硅肖特基二極管1200V碳化硅肖特基二極管1200V碳化硅肖特基二極管
(1200V碳化硅肖特基二極管)
HSBR-02A 2A/1200V
HSBR-05A 5A/1200V
HSBR-08A 8A/1200V
HSBR-10A 10A/1200V
HSBR-15A 15A/1200V
HSBR-20A 20A/1200V
HSBR-50A 50A/1200V